UNIDAD EN ESTADO SOLIDO SAMSUNG 990 EVO PLUS 1TB M.2 2280, PCIE 4.0 X4 / 5.0 X2 NVME 2.0

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Proveedor: Samsung

Tipo: disco duro interno

Precio:

383.00

SSD SAM 990 EVO+ 1TB M.2 NVME Velocidad de lectura secuencial de hasta 7150 MB/s, Velocidad de escritura secuencial de hasta 6300 MB/s. Tecnologia de Hardware: Samsung V NAND TLC (V8). Consideraciones Tipo de Producto : Componente Tipo Operatividad : (NV) Nuevo Foto referencial

MARCA

SAMSUNG

MODELO

990 EVO PLUS

NUMERO DE PARTE

MZ-V9S1T0B/AM

CAPACIDAD

1 TB

INTERFAZ

PCIe Gen 4.0 x4 NVMe 2.0PCIe Gen 5.0 x2 NVMe 2.0

VELOCIDAD DE LECTURA

7150 MB/S

VELOCIDAD DE ESCRITURA

6300 MB/S

FORMATO

M.2 2280

TIPO DE CHIP

TIPO CHIP

SAMSUNG V-NAND TLC (V8)

CARACTERISTICAS TECNICAS

CONSUMO DE ENERGIA: ACTIVO (LECTURA / ESCRITURA): 4.3W / 4.2W

DATA ENCRYPTION: Class 0 (AES 256) , TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)

MEMORIA CACHE: HMB (HOST MEMORY BUFFER)

DIMENSIONES DEL PRODUCTO

(Ancho x Altura x Profundidad): 2.28 x 0.25 x 8.12 CM

CÓDIGO DE FABRICANTE: MZ-V9S1T0B/AM

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disco duro interno